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IGBT芯片設計工程師



公司:大功率半導體公司
工作地點:湖南株洲或者英國林肯
職位職責:
1.負責IGBT芯片技術領域器件結構設計;
2.負責IGBT功率器件關鍵工藝技術仿真和設計;
3.負責功率器件前沿技術的仿真研究。
 
任職要求:
1. 微電子專業碩士及以上學歷;
2. 5年以上半導體工作經歷; 

簡歷投遞:semi@wanco.com.cn,請寫上應聘的職位。
企業QQ可詳細咨詢:800066950 (找服務);
 
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